CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。

PECVD系統配置：1.1200度開啟式雙溫區真空管式爐2.等離子射頻電源3.多路質量流量控制系統4.真空系統（可選配中真空或高真空）

CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

產品用途：此款CVD系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

產品用途：此款CVD系統是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計，特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究，通過滑動爐實現快速加熱和冷卻。